NXH40B120MNQ1SNG

onsemi
863-NXH40B120MNQ1SNG
NXH40B120MNQ1SNG

Fab. :

Description :
Modules MOSFET 30KW Q1BOOST FULL SIC

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onsemi
Catégorie du produit: Modules MOSFET
RoHS:  
SiC
- 40 C
+ 150 C
156 W
NXH40B120MNQ1
Tray
Marque: onsemi
Configuration: Dual
Type de produit: MOSFET Modules
Nombre de pièces de l'usine: 21
Sous-catégorie: Discrete and Power Modules
Nom commercial: EliteSiC
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Attributs sélectionnés: 0

USHTS:
8542390060
ECCN:
EAR99

Module MOSFET SiC complet NXH40B120MNQ1

Le module de MOSFET entièrement au SiC onsemi  NXH40B120MNQ1 contient un double étage d'amplification entièrement au SiC composé de trois MOSFET de 40 m Ω/ 1 200 V au SiC et de trois diodes de 40 A/1 200 V au SiC. Ce module MOSFET au SiC comporte trois redresseurs supplémentaires 50 A/1 200 V en dérivation pour la limite de courant d'appel. Le module NXH40B120MNQ1 dispose d'une faible récupération inverse, de diodes SiC à commutation rapide, d'une disposition à faible induction, de broches soudables, d'une thermistance, sans plomb, sans halogène/sans BFR et est conforme à la directive RoHS. Ce module MOSFET SiC est idéalement utilisé dans les onduleurs solaires et les alimentations ininterrompues.

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