onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVHL015N065SC1

Le MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVHL015N065SC1 d'onsemi utilise une nouvelle technologie qui fournit des performances de commutation supérieures et une haute fiabilité. Ce MOSFET SiC dispose d’un canal N, d’un haut rendement, d’une fréquence de fonctionnement plus rapide, d’une densité de puissance accrue, d’EMI réduites et d’une taille de système réduite. Le MOSFET NVHL015N065SC1 offre une faible résistance à l’état passant et une taille de puce compacte, ce qui garantit une capacité et une charge de grille faibles. Ce MOSFET Elite est testé 100 % UIL et certifié AEC−Q101. Le MOSFET NVHL015N065SC1 dispose d’une tension drain−source de 650 V−et d’une résistance de 12 mohm. Les applications standard comprennent les onduleurs de traction automobile, les convertisseurs CC/CC pour VE/HEV et les chargeurs embarqués.