MOSFET EliteSiC (carbure de silicium) 650 V

Les MOSFET EliteSiC (carbure de silicium) 650 V onsemi utilisent une technologie qui fournit des performances de commutation et une fiabilité supérieures à celles du silicium. De plus, la faible résistance à l’état passant et la taille compacte de puce assurent une capacité et une charge de grille faibles. Par conséquent, les avantages du système incluent le rendement le plus élevé, une fréquence de fonctionnement plus rapide, une densité de puissance accrue, une réduction des EMI et une taille de système réduite. Le boîtier TOLL onsemi offre des performances thermiques améliorées et d’excellentes performances de commutation grâce à la configuration de la source Kelvin et à une inductance de source parasite plus faible. TOLL offre un niveau de sensibilité à l'humidité 1 (MSL 1).

Résultats: 6
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
onsemi SiC MOSFET EliteSiC, 12 mohm SiC M3S MOSFET, 650 V, TO247-4L INDUSTRIAL
Fiche technique
446En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 71 A 23.5 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 100 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET EliteSiC, 12 mohm SiC M3S MOSFET, 650 V, TO247-4L Auto
Fiche technique
450En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 71 A 23.5 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 100 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET M2 650V SIC MOSFET 60MOHM WITH TOLL
Fiche technique
1.983En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22.6 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 170 C 170 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH TOLL
Fiche technique
1.970En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 650 V 37 A 85 mOhms - 8 V, + 22.6 V 4.3 V 59 nC - 55 C + 170 C 139 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET EliteSiC, 12 mohm SiC M3S MOSFET, 650 V, TO247-4L Auto
Fiche technique
45006/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 17 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 135 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET EliteSiC, 12 mohm SiC M3S MOSFET, 650 V, TO247-4L INDUSTRIAL
Fiche technique
45002/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 17 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 135 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement EliteSiC