onsemi MOSFET en carbure de silicium (SiC) NVBG030N120M3S
Le MOSFET NVBG030N120M3S au carbure de silicium (SiC) onsemi est un MOSFET planaire EliteSiC de 1 200 V optimisé pour les applications de commutations rapides. Ce MOSFET présente une charge de grille ultra-basse de 107 nC, une commutation de 106 pF à haute vitesse et à basse capacité et 29 mΩ de résistance standard entre drain et source à l'état passant (ON) sous VGS= 18 V. Le MOSFET NVBG030N120M3S au SiC présente des performances optimales lorsqu'il est piloté par une grille de 18 V, mais fonctionne également très bien avec une grille de 15 V. Ce MOSFET est testé à 100 % en avalanche, a reçu la qualification AEC-Q101 et présente une compatibilité PHPP. Le MOSFET NVBG030N120M3S est proposé dans un boîtier D2PAK-7L pour une faible inductance commune de source et est sans plomb sur 2LI (sur l'interconnexion de deuxième niveau) et conforme à la directive RoHS (avec exemption 7a). Les applications typiques comprennent les chargeurs automobiles embarqués et les convertisseurs CC/CC pour VE/VEH.
Caractéristiques
- RDS(ON) de 30 mΩ
- Boîtier D2PAK-7L pour faible inductance de source commune
- Plage de tensions de commande de grilles de 15 à 18 V
- Technologie M3S (30 mΩ RDS(ON) avec de faibles pertes EON et EOFF)
- Testé à 100 % en mode avalanche
- Homologation automobile AEC-Q101
- 2LI sans plomb (sur interconnexion de deuxième niveau)
- Sans halogénure et conforme à la directive RoHS avec exemption 7a
Caractéristiques techniques
- Charge de grille ultra-faible 107nC
- Commutation à haute vitesse de 106 pF avec faible capacité
- Résistance standard entre drain et source à l'état passant (ON) de 29 mΩ sous VGS= 18 V
- Courant maximal de drain sous tension nulle de grille = 100 µA
- Transconductance directe standard 30 s
- Capacité d’entrée standard 2430 pF
- Capacité de sortie standard 106 pF
- Courant source (diode de corps) 68 A
- Énergie d’avalanche drain-source à simple impulsion 220mJ
- Température maximale de brasage 270 °C (10 s)
- Plage de température de jonction de fonctionnement de −55 °C à 175 °C
- Plage de température de stockage de -55 °C à +175 °C
Applications
- Chargeurs automobiles embarqués
- Convertisseurs CC-CC automobiles pour EV/HEV
Dimensions du boîtier
Produits associés
onsemi Pilotes de grille d’appariement avec MOSFET EliteSiC
Gamme complète de pilotes de grille et de MOSFET Elite qui, lorsqu’ils sont associés, améliorent les performances thermiques.
onsemi MOSFET EliteSiC M3S
Solutions pour les applications de commutation haute fréquence qui emploient des topologies à commutation dure.
onsemi MOSFET EliteSiC (carbure de silicium) 1 200 V
Assurent des performances de commutation et une fiabilité meilleures que celles du silicium.
En savoir plus sur EliteSiC
onsemi EliteSiC
Répond aux besoins d'applications exigeantes telles que les convertisseurs solaires et les chargeurs de véhicules électriques.
Publié le: 2023-08-09
| Mis à jour le: 2025-10-01