onsemi MOSFET PowerTrench® NTTFSSCH1D3N04XL T10
Le MOSFET PowerTrench® NTTFSSCH1D3N04XL T10 d'Onsemi est conçu pour supporter des courants élevés, ce qui est essentiel pour les étages de conversion d'énergie CC-CC. Ce MOSFET de puissance à canal N unique de 40 V et 207 A offre une résistance à l'état passant plus faible, une densité de puissance plus élevée et des performances thermiques supérieures. La conception de la tranchée à grille de blindage fournit une charge de grille ultra-faible et une résistance RDS(on) de 1,3 mΩ. Le boîtier compact GEN2 à double refroidissement, avec source-down, de 3,3 mm x 3,3 mm est sans plomb, sans halogène, sans BFR et conforme à la directive RoHS. Le MOSFET PowerTrench® NTTFSSCH1D3N04XL T10 d'Onsemi est conçu pour offrir une solution efficace pour les applications de centres de données et de cloud.
Caractéristiques
- La résistance Rds(on) ultra-faible de 1,3 mΩ améliore l'efficacité du système
- Faible capacité et faible Qg pour minimiser les pertes de commande et de commutation
- Fiabilité au niveau de la carte (test BLRT) : 1 000 cycles entre -40 °C et +125 °C, 10 min. de maintien, +20°C/min. 6 couches 2,35 T
- Excellente conduction thermique grâce à la technologie avancée de boîtier à double refroidissement avec grille centrale source-down
- Dimensions du boîtier : 3,3 mm x 3,3 mm x 0,58 mm
- Sans plomb, sans halogène, sans BFR et conforme à la directive RoHS
Applications
- Systèmes Cloud
- Centres de données / IBC
- Unités d'alimentation électrique (PSU)
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Publié le: 2024-10-23
| Mis à jour le: 2025-05-13