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NTTFSSCH1D3N04XL

Name: onsemi NTTFSSCH1D3N04XL
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFSSCH1D3N04XL
Price: 2.52 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTTFSSCH1D3N04XL

N° de fab. :

NTTFSSCH1D3N04XL

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET T10S 40V PC33 SOURCE DOWN DUAL COOL GEN 2

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

NTTFSSCH1D3N04XL Fiche technique

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	1,12 €	112,00 €
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	0,829 €	2.072,50 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	WDFN-9
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	207 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.3 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.2 V
Qg - Charge de grille:	28 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	107 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	4 ns
Transconductance directe - min.:	123 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	5 ns
Série:	NTTFSSCH1D3N04XL
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	43 ns
Délai d'activation standard:	18 ns

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Fiche technique

NTTFSSCH1D3N04XL Fiche technique

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Philippines
Pays d'origine de l'assemblage:: Philippines
Pays de diffusion:: Japon

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET PowerTrench® NTTFSSCH1D3N04XL T10

Le MOSFET PowerTrench® NTTFSSCH1D3N04XL T10 d'Onsemi est conçu pour supporter des courants élevés, ce qui est essentiel pour les étages de conversion d'énergie CC-CC. Ce MOSFET de puissance à canal N unique de 40 V et 207 A offre une résistance à l'état passant plus faible, une densité de puissance plus élevée et des performances thermiques supérieures. La conception de la tranchée à grille de blindage fournit une charge de grille ultra-faible et une résistance R_DS(on) de 1,3 mΩ. Le boîtier compact GEN2 à double refroidissement, avec source-down, de 3,3 mm x 3,3 mm est sans plomb, sans halogène, sans BFR et conforme à la directive RoHS. Le MOSFET PowerTrench® NTTFSSCH1D3N04XL T10 d'Onsemi est conçu pour offrir une solution efficace pour les applications de centres de données et de cloud.

MOSFET de puissance monocanal N

Les MOSFET de puissance monocanal N onsemi sont conçus pour des conceptions compactes et efficaces avec un encombrement réduit. Ces MOSFET de puissance disposent d’une basse R_DS(ON), d’une Q_G et d’une capacité faibles, qui réduisent au minimum les pertes en conduction et du pilote. Ces MOSFET sont disponibles en tensions drain-source de 40, 60 et 80 V et en tension grille-source ±20 V. Les MOSFET de puissance monocanal N onsemi sont sans plomb et conformes à la directive RoHS.