onsemi MOSFET de puissance NTMTSC1D5N08MC
Le MOSFET de puissance NTMTSC1D5N08MC d'onsemi est un MOSFET à canal N unique Dual COOL® avec une petite empreinte (8 mm x 8 mm) pour des conceptions compactes. Ce MOSFET offre une tension drain-source de 80 V et un courant de drain de 287 A. Le MOSFET NTMTSC1D5N08MC dispose d’une QG et d’une capacité faibles pour minimiser les pertes de pilote. Ce MOSFET est adapté aux outils électriques, aux aspirateurs alimentés par batterie, aux UAV/drones, à la manipulation de matériaux, aux BMS/stockage et à la domotique.
Caractéristiques
- Empreinte réduite (8 mm x 8 mm) pour une conception compacte
- Faible RDS(on) pour minimiser les pertes de conduction
- Tension drain-source de 80 V (VDSS)
- Faibles QG et capacité pour minimiser les pertes de pilote
- Le composant est sans Pb, sans halogène, sans BFR et conforme à la directive RoHS
Applications
- Outils électriques et aspirateurs alimentés par batterie
- UAV/drones et manipulation de matériaux
- BMS/systèmes de stockage et domotique
mosfet à canal n
Caractéristiques de charge de grille
Produits associés
onsemi Solutions robotiques/AMR
Possèdent des capacités similaires à celles des voitures autonomes et sont des conceptions complexes comprenant des sous-systèmes.
Publié le: 2023-05-03
| Mis à jour le: 2023-07-19