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NTMTSC1D5N08MC

Name: onsemi NTMTSC1D5N08MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMTSC1D5N08MC
Price: 7.83 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTMTSC1D5N08MC

N° de fab. :

NTMTSC1D5N08MC

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET PTNG 80V IN CEBU PQFN88

Fiche technique:

NTMTSC1D5N08MC Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	7,83 €	7,83 €
	5,34 €	53,40 €
	3,94 €	394,00 €
	3,91 €	1.955,00 €
	3,70 €	3.700,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	3,70 €	11.100,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	287 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.56 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	101 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	250 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	31 ns
Transconductance directe - min.:	219 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	24 ns
Série:	NTMTSC1D5N08MC
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	69 ns
Délai d'activation standard:	30 ns

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Fiche technique

NTMTSC1D5N08MC Fiche technique

PCN

ON Semiconductor MPN Label Format Change (PDF)

Material Composition Disclosure

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Philippines
Pays d'origine de l'assemblage:: Philippines
Pays de diffusion:: Corée, République de

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance NTMTSC1D5N08MC

Le MOSFET de puissance NTMTSC1D5N08MC d'onsemi est un MOSFET à canal N unique Dual COOL^®avec une petite empreinte (8 mm x 8 mm) pour des conceptions compactes. Ce MOSFET offre une tension drain-source de 80 V et un courant de drain de 287 A. Le MOSFET NTMTSC1D5N08MC dispose d’une Q_G et d’une capacité faibles pour minimiser les pertes de pilote. Ce MOSFET est adapté aux outils électriques, aux aspirateurs alimentés par batterie, aux UAV/drones, à la manipulation de matériaux, aux BMS/stockage et à la domotique.

Entraînement de moteurs industriels

Les entraînements de moteurs industriels d'onsemi sont conçus pour une durabilité globale, fournissant des technologies efficaces et renouvelables et une alimentation intelligente. Selon l’analyse du marché des systèmes moteurs de 2020 (MSMA) publiée par le département de l’Énergie des États-Unis (DOE), les pompes et moteurs industriels consomment presque 15 % de la totalité de la capacité électrique américaine chaque année. L’analyse du marché des systèmes moteurs de 2020 estime également que 32,3 millions de tonnes métriques d'émissions de CO₂ peuvent être évitées chaque année grâce à l’utilisation de VFD. onsemi fabrique une large gamme de composants semi-conducteurs VFD, notamment des pilotes de grille, des MOSFET, des IGBT et EliteSiC.