onsemi MOSFET PowerTrench® à grille blindée - onsemi | Mouser
Les MOSFET PowerTrench® à grille blindée d'Onsemi sont des composants à canal N et offrent des performances de commutation optimisées. Ce MOSFET caractéristiques disposent d'une faible charge de récupération inverse (Qrr) et d'une diode de corps à recouvrement progressif pour une commutation optimale à faible bruit. Les MOSFET PowerTrench® à grille blindée d'Onsemi offrent une haute efficacité avec des pics de commutation et unbrouillage électromagnétique (EMI) plus faibles. Ils améliorent le facteur de mérite (FOM) de commutation. Les applications typiques comprennent le redressement synchrone pour les blocs d'alimentation (PSU) ATX/serveurs/télécoms, les entraînements à moteur, les alimentations sans interruption (ASI) et les micro-onduleurs solaires.
Caractéristiques
- Technologie de MOFSET à grille blindée
- Performances de commutations optimisées
- RDS(on) de 5 mΩ (maximum) à VGS = 10 V et ID = 97 A
- Qrr 50 % plus faible que les autres fournisseurs de MOSFET
- Réduit le bruit de commutation/EMI
- Testé à 100 % en charge inductive non limitée (UIL)
- Tension drain-source (VDSS) de 150 V
- Courant de drain (ID) maximum de 139 A
Applications
- Redressement synchrone
- Technologie avancée étendue (ATX)
- Serveurs
- Technologie PSU de télécommunications
- Entraînements à moteur
- ASI
- Micro-onduleurs solaires
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| Numéro de pièce | Fiche technique | Id - Courant continu de fuite | Rds On - Résistance drain-source |
|---|---|---|---|
| NTP011N15MC |  |
74.3 A | 10.9 mOhms |
| NTP5D0N15MC | |
139 A | 5 mOhms |
| NTP7D3N15MC | |
101 A | 7.3 mOhms |
Publié le: 2020-09-16
| Mis à jour le: 2024-11-07