MOSFET PowerTrench® à grille blindée - onsemi | Mouser

Les MOSFET PowerTrench® à grille blindée d'Onsemi sont des composants à canal N et offrent des performances de commutation optimisées. Ce MOSFET caractéristiques disposent d'une faible charge de récupération inverse (Qrr) et d'une diode de corps à recouvrement progressif pour une commutation optimale à faible bruit. Les MOSFET PowerTrench® à grille blindée d'Onsemi offrent une haute efficacité avec des pics de commutation et unbrouillage électromagnétique (EMI) plus faibles. Ils améliorent le facteur de mérite (FOM) de commutation. Les applications typiques comprennent le redressement synchrone pour les blocs d'alimentation (PSU) ATX/serveurs/télécoms, les entraînements à moteur, les alimentations sans interruption (ASI) et les micro-onduleurs solaires.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
onsemi MOSFET MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 10.9 mohm, 74.3 A
Fiche technique
747En stock
80017/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 74.3 A 10.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 37 nC - 55 C + 175 C 136.4 W Enhancement PowerTrench Tube
onsemi MOSFET MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 5.0 mohm, 139 A
Fiche technique
447En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 150 V 139 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement PowerTrench Tube
onsemi NTP7D3N15MC
onsemi MOSFET MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 7.3 mohm, 101 A
Fiche technique
583En stock
80015/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 150 V 101 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement PowerTrench Tube