onsemi MOSFET NVBG160N120SC1 160 mΩ au SiC

Le MOSFET au SiC NVBG160N120SC1 160 mΩ onsemi offre des performances supérieures de commutation et une fiabilité supérieure à celle du silicium. Ce MOSFET présente une tension drain-source (VDSS) de 1 200 V et un courant de drain maximum de 19,5 A (ID) Le MOSFET NVBG160N120SC1 dispose d'une faible résistance à l'état passant et d'une taille de puce compacte qui garantit une faible capacité et une faible charge de grille. Ce MOSFET offre haute efficacité, une fréquence opérationnelle supérieure, une densité accrue de puissance, des interférences électromagnétiques (EMI) réduites et des dimensions moindres. Le MOSFET NVBG160N120SC1 onsemi est qualifié pour des applications automobiles comme des chargeurs embarqués automobiles et des convertisseurs CC/CC pour véhicules électriques (EV)/ vehicles hybrides (HEVs), selon les normes AEC-Q101.