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Vishay / Siliconix MOSFET N voies (d-s) double SiZF906BDT

Le MOSFET N voies (d-s) double SiZF906BDT Vishay/Siliconix est un MOSFET côté bas SkyFET® avec schottky intégré. Le MOSFET ® de puissance TrenchFET Gen IV est proposé en boîtier PowerPAIR 6x5F et est testé à 100 % Rg et UIS. Le double MOSFET SiZF906BDT Vishay/Siliconix est idéal pour les applications de puissance de cœur CPU, les périphériques ordinateur/serveur, POL, convertisseur buck synchrone et CC-CC de télécommunications.

Caractéristiques

  • TrenchFET® Gen IV puissance MOSFET
  • MOSFET ® côté bas SkyFET avec Schottky intégré
  • 100 % testé à Rg et UIS

Applications

  • Alimentation de cœur CPU
  • Périphériques d'ordinateur/serveur
  • POL
  • Convertisseurs Buck synchrones
  • Télécommunications CC/CC

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Style de boîtier

Vishay / Siliconix MOSFET N voies (d-s) double SiZF906BDT
Publié le: 2021-02-05 | Mis à jour le: 2022-03-11