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SIZF906BDT-T1-GE3

Name: Vishay SIZF906BDT-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIZF906BDT-T1-GE3
Price: 2.37 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

78-SIZF906BDT-T1-GE3

N° de fab. :

SIZF906BDT-T1-GE3

Fab. :

Vishay / Siliconix

Description :

MOSFET PPAIR6X5 2NCH 30V 36A

Fiche technique:

SIZF906BDT-T1-GE3 Fiche technique

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-,-- €

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,37 €	2,37 €
	1,54 €	15,40 €
	1,06 €	106,00 €
	0,859 €	429,50 €
	0,794 €	794,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,729 €	2.187,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAIR-6x5F-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	105 A, 257 A
Rds On - Résistance drain-source:	680 uOhms, 2.1 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 16 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.2 V
Qg - Charge de grille:	25 nC, 81 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	38 W, 83 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	TrenchFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay / Siliconix
Configuration:	Dual
Temps de descente:	5 ns, 10 ns
Transconductance directe - min.:	93 S, 170 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	5 ns, 30 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	TrenchFET Gen IV Power MOSFET
Délai de désactivation type:	22 ns, 40 ns
Délai d'activation standard:	12 ns, 20 ns
Poids de l''unité:	337,318 mg

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CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET N voies (d-s) double SiZF906BDT

Le MOSFET N voies (d-s) double SiZF906BDT Vishay/Siliconix est un MOSFET côté bas SkyFET^® avec schottky intégré. Le MOSFET^® de puissance TrenchFET Gen IV est proposé en boîtier PowerPAIR 6x5F et est testé à 100 % Rg et UIS. Le double MOSFET SiZF906BDT Vishay/Siliconix est idéal pour les applications de puissance de cœur CPU, les périphériques ordinateur/serveur, POL, convertisseur buck synchrone et CC-CC de télécommunications.