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Vishay / Siliconix MOSFET de puissance à canal N SiHR080N60E

Le MOSFET de puissance à canal N SiHR080N60E Vishay/Siliconix  est un MOSFET de puissance série E 600 V de 4e génération A  dans un boîtier PowerPAK® 8 x 8LR. Le MOSFET offre un rendement et une densité de puissance plus élevés pour les applications de télécommunications, industrielles et informatiques. Le SiHR080N60E dispose d’une faible résistance en marche standard de 0,074Ω à 10 V et d’une charge de grille ultra-faible pouvant descendre à 42 nC, ce qui réduit les pertes de conduction et de commutation, ce qui économise de l’énergie et augmente le rendement dans les systèmes d’alimentation >2 kW. Le boîtier fournit également une connexion Kelvin pour un meilleur rendement de commutation. Le SiHR080N60E  de Vishay/Siliconix  est conçu pour résister aux surtensions transitoires en mode avalanche avec des limites garanties via les tests UIS 100 %.

Caractéristiques

  • Technologie série E de 4ème génération
  • Faible facteur de mérite (FOM) Ron x Qg
  • Faible capacité effective (Co (er))
  • Faibles pertes de conduction et pertes de commutation
  • Refroidissement côté haut
  • Conforme Avalanche Energy (UIS)
  • Gull Wing Leads offrent une excellente capacité de cycle de température
  • Sans plomb, sans halogène et conforme à la directive RoHS

Applications

  • Alimentations de serveurs et d'équipements de télécommunication
  • Alimentations en mode commuté (SMPS)
  • Alimentations à Correction du facteur de puissance (PFC)
  • Éclairage
    • Décharge haute intensité (HID)
    • Éclairage fluorescent à ballast
  • Industriel
    • Soudage
    • Chauffage par induction
    • Commandes de moteurs
    • Chargeurs de batteries
    • Solaires (inverseurs photovoltaïques)

Caractéristiques techniques

  • tension drain-source maximale 600 V
  • tension grille-source maximale ±30 V
  • Courant de drain continu maximal à VGS = 10 V
    • 51 A à +25 °C
    • 32 A à +100 °C
  • courant de drain pulsé maximal 96 A
  • Facteur de déclassement linéaire maximal 4,0 W/°C
  • énergie d’avalanche à simple impulsion 173 mJ maximum
  • dissipation de puissance maximale 500 W
  • Pente de tension drain-source maximale 100V/ns à +125 °C
  • diode inverse dv/dt maximale 10V/ns
  • Résistance thermique maximum
    • Jonction à température ambiante 42 °C/W
    • Jonction à boîtier (drain) 0,25 °C/W
  • Plage de température de jonction de fonctionnement de -55 °C à +150 °C
  • boîtier PowerPAK 8 x 8LR

Dimensions

Vishay / Siliconix MOSFET de puissance à canal N SiHR080N60E
Publié le: 2024-07-09 | Mis à jour le: 2024-07-12