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SIHR080N60E-T1-GE3

Name: Vishay SIHR080N60E-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIHR080N60ET1GE3
Price: 6.16 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

78-SIHR080N60ET1GE3

N° de fab. :

SIHR080N60E-T1-GE3

Fab. :

Vishay / Siliconix

Description :

MOSFET N-CHANNEL 600V

Fiche technique:

SIHR080N60E-T1-GE3 Fiche technique

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	6,16 €	6,16 €
	4,42 €	44,20 €
	3,36 €	336,00 €
	3,16 €	3.160,00 €
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	2,99 €	5.980,00 €
	2,85 €	11.400,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAK-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	51 A
Rds On - Résistance drain-source:	74 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Qg - Charge de grille:	42 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	500 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	PowerPAK
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Vishay / Siliconix
Configuration:	Single
Temps de descente:	31 ns
Transconductance directe - min.:	4.6 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	96 ns
Série:	SIHR E
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	37 ns
Délai d'activation standard:	31 ns

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Fiche technique

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USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance à canal N SiHR080N60E

Le MOSFET de puissance à canal N SiHR080N60E Vishay/Siliconix est un MOSFET de puissance série E 600 V de 4e génération A dans un boîtier PowerPAK® 8 x 8LR. Le MOSFET offre un rendement et une densité de puissance plus élevés pour les applications de télécommunications, industrielles et informatiques. Le SiHR080N60E dispose d’une faible résistance en marche standard de 0,074Ω à 10 V et d’une charge de grille ultra-faible pouvant descendre à 42 nC, ce qui réduit les pertes de conduction et de commutation, ce qui économise de l’énergie et augmente le rendement dans les systèmes d’alimentation >2 kW. Le boîtier fournit également une connexion Kelvin pour un meilleur rendement de commutation. Le SiHR080N60E de Vishay/Siliconix est conçu pour résister aux surtensions transitoires en mode avalanche avec des limites garanties via les tests UIS 100 %.