STMicroelectronics IGBT série 650 V 80 A HB STGSH80HB65DAG
L’IGBT série HB 650 V 80 A STGSH80HB65DAG de STMicroelectronics comprend deux IGBT et diodes dans un boîtier compact, robuste, monté en surface. L’IGBT STGSH80HB65DAG de STMicroelectronics est optimisé pour la commutation douce, minimisant ainsi les pertes de conduction et de commutation. Chaque commutateur comprend une diode de roue libre à faible chute, ce qui le rend idéal pour les applications efficaces de résonance et de commutation douce.
Caractéristiques
- Qualifié AQG 324
- Série de commutation à haute vitesse
- TJ = température de jonction maximale 175 °C
- Faible VCE (sat) = 1,7 V (std) à IC = 80 A
- Courant de queue minimisé
- Distribution étroite des paramètres
- Faible résistance thermique grâce au substrat DBC
- Coefficient de température positive VCE (sat)
- Diode antiparallèle à récupération progressive et à haute vitesse
- Isolation nominale de 3,4 kVefficaces/min
Applications
- Convertisseur CC-CC pour EV/HEV
- Chargeur embarqué (OBC)
Schéma et description des broches
COMPLÉTEZ VOTRE CONCEPTION
STMicroelectronics Standard Products
A broad range of drop-in replacements for general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs.
Vidéos
Publié le: 2023-10-24
| Mis à jour le: 2024-01-21