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STGSH80HB65DAG

Name: STMicroelectronics STGSH80HB65DAG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGSH80HB65DAG
Price: 16.69 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STGSH80HB65DAG

N° de fab. :

STGSH80HB65DAG

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Automotive ACEPACK SMIT half-bridge 650 V, 80 A HB series IGBT with diode

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Fiche technique:

STGSH80HB65DAG Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 200)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	16,69 €	16,69 €
	11,94 €	119,40 €
	10,84 €	1.084,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 200)
	10,84 €	2.168,00 €
	9,72 €	3.888,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	ACEPACK-5
Style de montage:	SMD/SMT
Configuration:	Dual
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	2.1 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	83 A
Pd - Dissipation d’énergie :	250 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Courant de fuite gâchette-émetteur:	800 nA
Sensibles à l’humidité:	Yes
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	200
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	8,200 g

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JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IGBT série 650 V 80 A HB STGSH80HB65DAG

L’IGBT série HB 650 V 80 A STGSH80HB65DAG de STMicroelectronics comprend deux IGBT et diodes dans un boîtier compact, robuste, monté en surface. L’IGBT STGSH80HB65DAG de STMicroelectronics est optimisé pour la commutation douce, minimisant ainsi les pertes de conduction et de commutation. Chaque commutateur comprend une diode de roue libre à faible chute, ce qui le rend idéal pour les applications efficaces de résonance et de commutation douce.