STMicroelectronics Transistor LDMOS de puissance RF RF5L15120CB4
Le transistor LDMOS de puissance RF RF5L15120CB4 de STMicroelectronics dispose d'une haute efficacité et d'un fonctionnement à gain linéaire. Le FET LDMOS 120 W RF5L15120CB4 fournit une plage de tension grille/source positive et négative significative. L'appareil peut être utilisé en classe AB/B et en classe C pour tous les formats de modulation standard.
Le transistor LDMOS de puissance RF RF5L15120CB4 de STM est conçu pour les communications commerciales à large bande, la diffusion de télévision, l'avionique et les applications industrielles avec une fréquence de HF jusqu'à 1,5 GHz.
Caractéristiques
- Opérations à haut rendement et gain linéaire
- Protection DES intégrée
- Large plage de tension positive et négative de la grille et de la source
- Excellente stabilité thermique, faible dérive HCI
- En conformité avec la directive européenne 2002/95/CE
Applications
- Communications commerciales à haut débit
- Diffusion télévisée
- Électronique aérospatiale
- Industriel
Caractéristiques techniques
- Tension drain-source 95 V
- Tension grille-source -8 V/+10 V
- Tension d'exploitation maximale de 55 V
- Température de jonction maximale +200 °C
- Température de stockage de -65 °C à +150 °C
Connexion des broches
COMPLÉTEZ VOTRE CONCEPTION
STMicroelectronics Standard Products
A broad range of drop-in replacements for general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs.
Publié le: 2022-12-02
| Mis à jour le: 2022-12-12