RF5L15120CB4

STMicroelectronics
511-RF5L15120CB4
RF5L15120CB4

Fab. :

Description :
Transistors MOSFET RF 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz

Cycle de vie:
NRND:
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Modèle de ECAO:
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En stock: 18

Stock:
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Conditionnement:
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135,73 € 1.357,30 €
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135,73 € 13.573,00 €
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STMicroelectronics
Catégorie du produit: Transistors MOSFET RF
RoHS:  
Dual N-Channel
Si
2.5 A
95 V
1 Ohms
1 GHz
20 dB
120 W
+ 200 C
SMD/SMT
LBB-5
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: STMicroelectronics
Sensibles à l’humidité: Yes
Nombre de canaux: 2 Channel
Type de produit: RF MOSFET Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 100
Sous-catégorie: MOSFETs
Type: RF Power MOSFET
Vgs - Tension grille-source: - 8 V, + 10 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 2.8 V
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Attributs sélectionnés: 0

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Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Transistor LDMOS de puissance RF RF5L15120CB4

Le transistor LDMOS de puissance RF RF5L15120CB4 de STMicroelectronics dispose d'une haute efficacité et d'un fonctionnement à gain linéaire. Le FET LDMOS 120 W RF5L15120CB4 fournit une plage de tension grille/source positive et négative significative. L'appareil peut être utilisé en classe AB/B et en classe C pour tous les formats de modulation standard.