STMicroelectronics IGBT de série MS de classe automobile GWA40MS120DF4AG
L’IGBT série MS de classe automobile GWA40MS120DF4AG de STMicroelectronics est développé à l’aide d’une structure sophistiquée à arrêt de champ et à grille en tranchée brevetée. Cet IGBT, qui fait partie de la série MS, est conçu explicitement pour les systèmes de convertisseur. Sa capacité exceptionnelle de court-circuit à des tensions de bus élevées le rend idéal pour de telles applications. En outre, le coefficient de température VCE(sat) légèrement positif et la distribution très étroite de paramètres contribuent à rendre plus sûres les opérations de mise en parallèle. L’IGBT de qualité automobile GWA40MS120DF4AG présente une tension de collecteur-émetteur de 1 200 V (VGE= 0 V), un courant collecteur continu de 40 A (TC= 100 °C) et un courant direct d’impulsion de 120 A. Cet IGBT est présenté dans un boîtier TO-247 à longues pattes et fonctionne dans une plage de température allant de -55 °C à 175 °C. Les applications typiques comprennent des charges auxiliaires, la gestion thermique et les chauffages CTP.
Caractéristiques
- structure d’arrêt de champ de grille en tranchée propriétaire avancée
- Distribution étroite des paramètres
- Coefficient de température positif VCE(sat)
- Faible résistance thermique
Caractéristiques techniques
- Qualifié AEC-Q101
- 8 μs de temps de résistance aux courts-circuits à VCC= 800 V, VGE= 15 V, TJ (démarrage) =175 °C
- Tension collecteur-émetteur de 1 200 V à VGE= 0 V
- Courant collecteur continu de 40 A à TC= 100 °C
- Courant direct d’impulsion de 120 A
- Dissipation d’énergie totale de 536 W à TC= 25 °C
- Plage de température de fonctionnement de -55 °C à 175 °C
Applications
- Charges auxiliaires
- Gestion thermique
- Chauffages CTP
Circuits de test
Informations sur le boîtier
COMPLÉTEZ VOTRE CONCEPTION
STMicroelectronics Standard Products
A broad range of drop-in replacements for general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs.
Publié le: 2024-06-25
| Mis à jour le: 2024-07-03