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GWA40MS120DF4AG

Name: STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-GWA40MS120DF4AG
Price: 5.67 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-GWA40MS120DF4AG

N° de fab. :

GWA40MS120DF4AG

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 1200 V 40 A low-loss MS series IGBT in a

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	5,67 €	5,67 €
	2,85 €	28,50 €
	2,84 €	340,80 €
	2,46 €	1.254,60 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	1.2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.95 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	80 A
Pd - Dissipation d’énergie :	536 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Courant de collecteur continu Ic max.:	80 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	250 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	IGBTs

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IGBT de série MS de classe automobile GWA40MS120DF4AG

L’IGBT série MS de classe automobile GWA40MS120DF4AG de STMicroelectronics est développé à l’aide d’une structure sophistiquée à arrêt de champ et à grille en tranchée brevetée. Cet IGBT, qui fait partie de la série MS, est conçu explicitement pour les systèmes de convertisseur. Sa capacité exceptionnelle de court-circuit à des tensions de bus élevées le rend idéal pour de telles applications. En outre, le coefficient de température V_CE(sat) légèrement positif et la distribution très étroite de paramètres contribuent à rendre plus sûres les opérations de mise en parallèle. L’IGBT de qualité automobile GWA40MS120DF4AG présente une tension de collecteur-émetteur de 1 200 V (V_GE= 0 V), un courant collecteur continu de 40 A (T_C= 100 °C) et un courant direct d’impulsion de 120 A. Cet IGBT est présenté dans un boîtier TO-247 à longues pattes et fonctionne dans une plage de température allant de -55 °C à 175 °C. Les applications typiques comprennent des charges auxiliaires, la gestion thermique et les chauffages CTP.