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STMicroelectronics MOSFET de puissance au carbure de silicium de classe automobile

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium de classe automobile STMicroelectronics  ont été  développés développés à l’aide de la technologie de pointe et innovante SiC MOSFET de 2e/3e génération de S   . Les composants  sont dotés d’une faible résistance par unité de surface à l’état passant et de très bonnes performances de commutatio   . Les MOSFET peuvent fonctionner à des températures très élevées (TJ = 200°C) et comportent une diode de structure interne très rapide et robuste.

Caractéristiques

  • Homologués AEC-Q101
  • Capacité de température de fonctionnement très élevée (TJ = +200 °C)
  • Diode de corps intrinsèque solide et très rapide
  • Faible valeur de capacité

Applications

  • Traction pour onduleurs
  • Convertisseurs CC-CC pour EV/HEV
  • Chargeur embarqué (OBC)

PORTEFOLIO MOSFET SIC

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Numéro de pièce Fiche technique Description
SCT016H120G3AG SCT016H120G3AG Fiche technique SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
SCT011HU75G3AG SCT011HU75G3AG Fiche technique SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package
SCT012W90G3-4AG SCT012W90G3-4AG Fiche technique SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package
SCT020HU120G3AG SCT020HU120G3AG Fiche technique SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
SCT020W120G3-4AG SCT020W120G3-4AG Fiche technique SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
SCT025W120G3AG SCT025W120G3AG Fiche technique SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
SCT040HU120G3AG SCT040HU120G3AG Fiche technique SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package
SCT025H120G3AG SCT025H120G3AG Fiche technique SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
SCT012H90G3AG SCT012H90G3AG Fiche technique SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
SCT040W120G3AG SCT040W120G3AG Fiche technique SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
Publié le: 2020-06-25 | Mis à jour le: 2026-02-03