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ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC canal N 1 700 V SCT2H12NWB

Le MOSFET de puissance SiC à canal N 1 700 V SCT2H12NWB de ROHM Semiconductor est un dispositif à tension drain-source de 1 700 V (VDSS) et courant de drain continu de 3,9 A (ID). La résistance à l'état passant drain-source [RDS(ON)] du dispositif est de 1,15 mΩ (std.) (VGS = 18 V, ID = 1,1 A, Tvj = +25 °C) et il est livré dans un boîtier TO-263CA (TSMT3) de 15,5 mm x 10,2 mm. Ce dispositif offre un retard de commutation rapide, une large ligne de fuite et est simple à actionner. Le MOSFET SCT2H12NWB de ROHM Semiconductor est idéal pour les applications d'alimentation à découpage et auxiliaires.

Caractéristiques

  • Faible résistance de conduction [RDS(ON)]
  • Retard de commutation rapide
  • Ligne de fuite large de 6,1 mm
  • Facile à piloter
  • Placage des fils sans plomb et conforme à la directive RoHS

Applications

  • Auxiliaire alimentations électriques
  • Alimentations électriques en mode commutation

Caractéristiques techniques

  • Résistance à l'état passant drain-source [RDS(ON)] :
    • 1,15 mΩ (std.) / 1,50 mΩ (max.) (VGS = 18 V, ID = 1,1 A, Tvj = +25 °C)
    • 1,71 mΩ (std.) (VGS = 18 V, ID = 1,1 A, Tvj = +125 °C)
  • Dissipation d'énergie de 39 W (PD)
  • Charge de grille totale standard de 24 nC (Qg) (VDD = 800 V, ID = 2 A, VGS = 18 V)
  • Température de jonction de +175 °C (Tvj)

Schéma du circuit

Schéma - ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC canal N 1 700 V SCT2H12NWB

Schéma du boîtier

Plan mécanique - ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC canal N 1 700 V SCT2H12NWB
Publié le: 2025-07-25 | Mis à jour le: 2025-08-21