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SCT2H12NWBTL1

Name: ROHM Semiconductor SCT2H12NWBTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT2H12NWBTL1
Price: 4.47 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-SCT2H12NWBTL1

N° de fab. :

SCT2H12NWBTL1

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

SiC MOSFET TO263 1.7KV N-CH 3.9A

Cycle de vie:

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Fiche technique:

SCT2H12NWBTL1 Fiche technique

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	4,47 €	4,47 €
	3,20 €	32,00 €
	2,30 €	230,00 €
	1,90 €	950,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 800)
	1,90 €	1.520,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-263CA-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.7 kV
Id - Courant continu de fuite:	3.9 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.5 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 6 V to + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	24 nC
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	39 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	32 ns
Transconductance directe - min.:	0.4 S
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Produit:	SiC MOSFETS
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	25 ns
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Type:	N-channel SiC power MOSFET
Délai de désactivation type:	24 ns
Délai d'activation standard:	12 ns

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance SiC canal N 1 700 V SCT2H12NWB

Le MOSFET de puissance SiC à canal N 1 700 V SCT2H12NWB de ROHM Semiconductor est un dispositif à tension drain-source de 1 700 V (V_DSS) et courant de drain continu de 3,9 A (I_D). La résistance à l'état passant drain-source [R_DS(ON)] du dispositif est de 1,15 mΩ (std.) (V_GS = 18 V, I_D = 1,1 A, T_vj = +25 °C) et il est livré dans un boîtier TO-263CA (TSMT3) de 15,5 mm x 10,2 mm. Ce dispositif offre un retard de commutation rapide, une large ligne de fuite et est simple à actionner. Le MOSFET SCT2H12NWB de ROHM Semiconductor est idéal pour les applications d'alimentation à découpage et auxiliaires.