ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RY7P250BM

Le MOSFET de puissance RY7P250BM de ROHM Semiconductor est conçu avec une faible résistance à l’état passant de 1,86 mΩ (maximum) et se présente dans un boîtier DFN8080 à haute puissance. Ce MOSFET de puissance dispose d’une tension drain-source de 100 V (V_DSS), d’un courant de drain de ±300 A (I_D) et d’une dissipation d’énergie de 340 W (P_D). Le MOSFET RY7P250BM offre une large zone de fonctionnement sécurisée (SOA) qui lui permet de supporter des tensions et des courants plus élevés sans subir de dommages, ce qui améliore sa robustesse et sa fiabilité. Le MOSFET RY7P250BM de ROHM est adapté aux applications de contrôleur Hot Swap (HSC).

Caractéristiques

Résistance de conduction faible de 1,43 mΩ (standard) (R_DS(on)(standard))
Résistance de conduction faible de 1,86 mΩ (maximum) (R_DS(on)(maximum))
Tension drain-source de 100 V (V_DSS)
Courant de drain de ±300 A (I_D)
Dissipation d’énergie de 340 W (P_D)
Large zone de fonctionnement sécurisée (SOA)

Boîtier haute puissance DFN8080
Placage sans Pb
Conforme à la directive RoHS
Sans halogène
Testé à 100 % R_get commutation inductive non limitée (UIS)

Applications

Systèmes de serveurs IA de 48 V et circuits d’alimentation Hot Swap (remplaçables à chaud) dans les centres de données
Systèmes d'alimentation d'équipements industriels 48 V (par exemple, chariots élévateurs, outils électriques, robots et moteurs de ventilateurs)

Équipements industriels alimentés par batterie, tels que les véhicules à guidage automatique (VGA)
Systèmes d’alimentation sans coupure ASI et systèmes d’alimentation de secours (unités de batterie de secours)