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RY7P250BMTBC

Name: ROHM Semiconductor RY7P250BMTBC
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RY7P250BMTBC
Price: 7.07 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

755-RY7P250BMTBC

N° de fab. :

RY7P250BMTBC

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET RY7P250BM is a power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for Hot Swap Controller (HSC).

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

RY7P250BMTBC Fiche technique

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	7,07 €	7,07 €
	4,89 €	48,90 €
	3,82 €	382,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	3,24 €	8.100,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN8080-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	300 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.86 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	170 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	340 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	200 ns
Transconductance directe - min.:	27 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	90 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	195 ns
Délai d'activation standard:	72 ns

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance RY7P250BM

Le MOSFET de puissance RY7P250BM de ROHM Semiconductor est conçu avec une faible résistance à l’état passant de 1,86 mΩ (maximum) et se présente dans un boîtier DFN8080 à haute puissance. Ce MOSFET de puissance dispose d’une tension drain-source de 100 V (V_DSS), d’un courant de drain de ±300 A (I_D) et d’une dissipation d’énergie de 340 W (P_D). Le MOSFET RY7P250BM offre une large zone de fonctionnement sécurisée (SOA) qui lui permet de supporter des tensions et des courants plus élevés sans subir de dommages, ce qui améliore sa robustesse et sa fiabilité. Le MOSFET RY7P250BM de ROHM est adapté aux applications de contrôleur Hot Swap (HSC).

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.