ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RxL120BLFRA
Les MOSFET de puissance RxL120BLFRA de ROHM Semiconductor sont des MOSFET de qualité automobile, homologués AEC-Q101. Les appareils disposent d'une tension de rupture drain source de 60 V, d'une résistance à l'état passant drain source statiques de 30 mΩ et d'un courant de drain continu de ±12 A. Les MOSFET de puissance RxL120BLFRA de ROHM sont idéaux pour les applications automobiles, notamment le système d'aide à la conduite (ADAS), l'infodivertissement, l'éclairage et la carrosserie.
Caractéristiques
- Qualification AEC-Q101
- Résistance de fonctionnement faible
- Haute puissance, boîtier de petite taille
- Placage sans plomb
- Conforme à la directive RoHS
- Sans halogène
- Flanc mouillable
Applications
- Système d'aide à la conduite (ADAS)
- Infoloisir
- Éclairage
- Carrosserie
Caractéristiques techniques
- Tension de rupture drain-source de 60 V
- Résistance à l'état passant drain-source statique de 30 mΩ
- Dissipation d'énergie de 40 W (RQ3L120BLFRA) et 23 W (RF9L120BLFRA)
- Courant de drain continu de ±12 A
- Épaisseurs de boîtier DFN2020 (RF9L120BLFRA) et HSMT8AG (RQ3L120BLFRA)
Ressources supplémentaires
Circuits d'application
Publié le: 2025-07-14
| Mis à jour le: 2025-07-22