MOSFET de puissance RxL120BLFRA

Les MOSFET de puissance RxL120BLFRA de ROHM Semiconductor sont des MOSFET de qualité automobile, homologués AEC-Q101. Les appareils disposent d'une tension de rupture drain source de 60 V, d'une résistance à l'état passant drain source statiques de 30 mΩ et d'un courant de drain continu de ±12 A. Les MOSFET de puissance RxL120BLFRA de ROHM sont idéaux pour les applications automobiles, notamment le système d'aide à la conduite (ADAS), l'infodivertissement, l'éclairage et la carrosserie.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Conditionnement
ROHM Semiconductor MOSFET DFN2020 N-CH 60V 12A
Fiche technique
2.380En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000
Si SMD/SMT DFN-7 N-Channel 1 Channel 60 V 12 A 30 mOhms 20 V 4 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET HSMT N CHAN 60V
Fiche technique
2.320En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 60 V 12 A 30 mOhms 20 V 4 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape