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ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RV7E035AT

Le MOSFET à signal faible et canal P RV7E035AT de ROHM Semiconductor est un dispositif compact et haute performance conçu pour des applications de commutation basse tension. Logé dans un boîtier TUMT3 peu encombrant, le RV7E035AT offre d'excellentes caractéristiques de commutation et une faible résistance à l'état passant, ce qui le rend idéal pour les appareilsélectroniques portables et alimentés par batterie. Ce MOSFET présente une tension drain-source (VDS) de -30 V, un courant de drain continu (ID) de -3,5 A et une faible résistance à l'état passant [RDS(on)] de seulement 47 mΩ à VGS = -4,5 V, ce qui garantit une gestion d'alimentation efficace et une production de chaleur minimale. Le RV7E035AT de ROHM Semiconductor est optimisé pour la commutation à haute vitesse et convient parfaitement à la commutation de charge, aux convertisseurs CC-CC et aux circuits de gestion de l'alimentation dans des dispositifs électroniques compacts. Sa conception robuste et sa bonne efficacité thermique contribuent également à sa fiabilité d'utilisation dans les environnements exigeants.

Caractéristiques

  • Boîtier plastique CMS ultra-compact (1,2 mm × 1,2 mm × 0,5 mm) sans plomb avec pastille de drain exposée pour une excellente conduction thermique
  • Résistance de conduction maximale de 78 mΩ
  • Pilote -4,5 V
  • Tension de rupture drain-source maximale de -30 V
  • Coefficient de température de tension de rupture standard de -24.1mV/°C
  • Courant de drain continu maximum de ±3,5 A
  • Courant de drain pulsé maximum de ±10 A
  • Tension grille-source maximale de ±20 V
  • Courant d'avalanche à simple impulsion maximum de -3,5 A
  • Énergie d'avalanche à simple impulsion maximum de 0,46 mJ
  • Puissance dissipable admissible maximale de 1,1 W
  • Courant de drain de tension de grille nul maximal de -1 µA
  • Courant de fuite grille-source maximum de ±100 nA
  • Plage de tension de seuil de grille de -1 0 V à -2,5 V
  • Coefficient de température de la tension de seuil de grille standard de 3,3 mV/°C
  • Résistance de grille standard de 13 Ω
  • Admittance de transfert direct standard de 2,5 S
  • Capacité standard
    • Entrée 3,5 pF
    • Sortie 55 pF
    • Transfert inverse de 43 pF
  • Temps standard
    • Délai d'allumage de 8,0 ns
    • Montée de 9,0 ns
    • Temps d'arrêt de 28 ns
    • Descente de 8,5 ns
  • Charge de grille standard
    • Charge de grille totale de 4,3 nC
    • Charge grille-source de 1,6 nC
    • Charge grille-drain de 1,5 nC
  • Diode de corps
    • Courant direct continu maximum de -0,92 A
    • Courant direct pulsé maximum de -10 A
    • Tension directe maximale de -1,2 V
  • Plage de température de fonctionnement de -55 °C à +150 °C
  • Placage des fils sans plomb et conformité à la directive RoHS

Applications

  • Circuits de commutation
  • Commutateurs de charge côté haut

Circuit intérieur

Schéma du circuit d'application - ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RV7E035AT
Publié le: 2025-05-20 | Mis à jour le: 2025-06-04