RV7E035ATTCR1

MOSFET à signal faible et canal P RV7E035AT

Le MOSFET à signal faible et canal P RV7E035AT de ROHM Semiconductor est un dispositif compact et haute performance conçu pour des applications de commutation basse tension. Logé dans un boîtier TUMT3 peu encombrant, le RV7E035AT offre d'excellentes caractéristiques de commutation et une faible résistance à l'état passant, ce qui le rend idéal pour les appareilsélectroniques portables et alimentés par batterie. Ce MOSFET présente une tension drain-source (V_DS) de -30 V, un courant de drain continu (ID) de -3,5 A et une faible résistance à l'état passant [R_DS(on)] de seulement 47 mΩ à V_GS = -4,5 V, ce qui garantit une gestion d'alimentation efficace et une production de chaleur minimale. Le RV7E035AT de ROHM Semiconductor est optimisé pour la commutation à haute vitesse et convient parfaitement à la commutation de charge, aux convertisseurs CC-CC et aux circuits de gestion de l'alimentation dans des dispositifs électroniques compacts. Sa conception robuste et sa bonne efficacité thermique contribuent également à sa fiabilité d'utilisation dans les environnements exigeants.