ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal N RS6N120BH
Le MOSFET de puissance à canal N RS6N120BH de ROHM Semiconductor est un MOSFET compact à faible perte disposant d'une structure de pince Cu contribuant au fonctionnement à haut rendement. Le système augmente la capacité de courant tout en réduisant la résistance du boîtier. Cette caractéristique rend le RS6N120BH idéal pour les applications d'entraînement qui fonctionnent sur des alimentations électriques 24 V/36 V/48 V.
Caractéristiques
- Idéal pour les applications de commutation
- Boîtier à pince Cu HSOP8S 5 mm x 6 mm x 1 mm haute puissance
- La faible résistance à l'état passant et la capacité de charge de grille simultanées (relation de compromis) minimisent la perte d'énergie
- Montage en surface
- Mode d'amélioration
- Placage sans plomb
- 100% testés Rg et UIS
- Sans halogène et conforme à la directive RoHS
Applications
- Applications de commutation
- Alimentations pour serveurs et stations de base
- Divers équipements pilotés par moteur (industriel/grand public)
Caractéristiques techniques
- 8 bornes
- Tension de rupture drain-source 80 V
- Coefficient de température de tension de rupture standard de 58 mV/°C
- Courant de drain continu de ±135 A
- Courant de drain pulsé ±540 A
- Tension grille-source ±20 V
- Plage de charge de grille totale standard de 33 nC à 53 nC
- Résistance de grille standard de 1,3 Ω
- Dissipation d'énergie de 104 W
- Tension d'entraînement 6 V
- Tension directe maximale de 1,2 V
- Courant de drain à tension de grille nulle de 5 µA maximum
- Courant d'avalanche à impulsion unique 30 A
- Énergie d'avalanche à impulsion unique 74 mJ
- Impédance de transfert direct de 42 s minimum
- Capacité d'entrée standard de 3 420 pF
- Capacité de sortie standard de 1 020 pF
- Capacité de transfert inverse standard de 35 pF
- Délai de passage à la fermeture typique de 32 ns
- Temps de montée typique de 47 ns
- Délai de passage à l'ouverture typique de 73 ns
- Temps de descente typique de 35 ns
- Plage de température de fonctionnement : de -55 °C à +150 °C
Circuit intérieur
Comparaison de structure
Ressources supplémentaires
Publié le: 2023-05-15
| Mis à jour le: 2023-05-19