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RS6N120BHTB1

Name: ROHM Semiconductor RS6N120BHTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RS6N120BHTB1
Price: 3.14 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

755-RS6N120BHTB1

N° de fab. :

RS6N120BHTB1

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET: RS6N120BH is a power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for switching.

Fiche technique:

RS6N120BHTB1 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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28/05/2026 attendu
Délai usine :: 18

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	3,14 €	3,14 €
	2,05 €	20,50 €
	1,60 €	160,00 €
	1,34 €	670,00 €
	1,17 €	1.170,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	1,17 €	2.925,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	HSOP-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	135 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.3 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	53 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	104 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	35 ns
Transconductance directe - min.:	42 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	47 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	73 ns
Délai d'activation standard:	32 ns

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Fiche technique

RS6N120BHTB1 Fiche technique

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance à canal N et boîtier à pince Cu RS6/RH6

Les MOSFET de puissance à canal N et boîtier à pince Cu RS6/RH6 de ROHM Semiconductor permettent une capacité de traitement du courant élevé avec une résistance de boîtier réduite. Les composants en boîtiers HSOP-8 et HSMT-8 fournissent une faible résistance à l'état passant et une capacité de charge de grille simultanées, minimisant la perte d'énergie. Fonctionnant dans une plage de température de -55°C à +150°C, ces MOSFET sont idéaux pour les applications d’entraînement qui fonctionnent sur des alimentations 24 V/36 V/48 V.

MOSFET de puissance à canal N RS6N120BH

Le MOSFET de puissance à canal N RS6N120BH de ROHM Semiconductor est un MOSFET compact à faible perte disposant d'une structure de pince Cu contribuant au fonctionnement à haut rendement. Le système augmente la capacité de courant tout en réduisant la résistance du boîtier. Cette caractéristique rend le RS6N120BH idéal pour les applications d'entraînement qui fonctionnent sur des alimentations électriques 24 V/36 V/48 V.