ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal N et boîtier à pince Cu RS6/RH6
Les MOSFET de puissance à canal N et boîtier à pince Cu RS6/RH6 de ROHM Semiconductor permettent une capacité de traitement du courant élevé avec une résistance de boîtier réduite. Les composants en boîtiers HSOP-8 et HSMT-8 fournissent une faible résistance à l'état passant et une capacité de charge de grille simultanées, minimisant la perte d'énergie. Fonctionnant dans une plage de température de -55°C à +150°C, ces MOSFET sont idéaux pour les applications d’entraînement qui fonctionnent sur des alimentations 24 V/36 V/48 V.
Caractéristiques
- Utilisent un boîtier à pince en Cu qui permet une capacité de traitement du courant élevée avec une résistance de boîtier réduite
- La faible résistance à l'état passant et la capacité de charge de grille simultanées (relation de compromis) minimisent la perte d'énergie
- Proposé en tailles de boîtier compactes 3333 et 5060 (styles de boîtier HSOP-8 et HSMT-8)
- Tensions de rupture 40 V/60 V/80 V/100 V/150 V (entrée 24 V/36 V/48 V avec pics et marges de bruit pris en compte)
- Idéal pour les applications d'entraînement qui fonctionnent sur des alimentations électriques 24 V/36 V/48 V
Applications
- Sources d’alimentation
- Serveurs
- Stations de base
- Équipement entraîné par moteur
- Industriel
- Grand public
Caractéristiques techniques
- Plage de claquage de drain-source range de 40 V à 150 V
- Plage de courant de drain continu de 25 A à 210 A
- Plage de résistance drain-source de 1,34 mΩ à 73 mΩ
- Plage grille-source ±20 V
- Plage de seuil grille-source de 2,5 V ou 4 V
- Plage de charge de grille de 16.7nC à 67 nC
- Plage de température de fonctionnement de -55 °C à +150 °C
- Plage de dissipation de puissance de 59 W à 104 W
Vidéos
Comparaison de structure
Composants présentés
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal N RS6N120BH
MOSFET compact à faible perte disposant d'une structure de pince Cu contribuant au fonctionnement à haut rendement.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal N RH6
Offrent une faible résistance à l’état passant dans un petit boîtier moulé à 8 broches à montage en surface (HSMT-8), haute puissance.
Publié le: 2023-05-19
| Mis à jour le: 2025-10-10