ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RQ3P270BLFRA
Le MOSFET de puissance RQ3P270BLFRA de ROHM Semiconductor est un MOSFET de qualité automobile, homologué AEC-Q101. Les dispositifs fournissent une tension de rupture drain-source de 100 V, une résistance à l’état passant drain-source statique de 29 mΩ et un courant de drain continu de ±27 A. Les MOSFET de puissance ROHM RQ3P270BLFRA sont idéaux pour applications automobiles y compris le système d’aide à la conduite (ADAS), l’infodivertissement, l’éclairage et la carrosserie.
Caractéristiques
- Le boîtier compact et haute puissance réduit la zone de montage de 64 % au maximum
- Qualification AEC-Q101
- Réalisation d’une fiabilité de montage élevée grâce à la borne originale et au traitement de placage
Applications
- Système d’aide à la conduite (ADAS)
- Infoloisir
- Éclairage
- Carrosserie
Caractéristiques techniques
- Tension de rupture drain-source de 100 V
- Résistance à l’état passant de la source de drain statique 29 mΩ
- Courant de drain continu ±27 A
- Dissipation d’énergie de 69 W
- Boîtier HSMT8AG
Circuit d'application
Publié le: 2025-07-14
| Mis à jour le: 2025-08-04