RQ3P270BLFRATCB

ROHM Semiconductor
755-RQ3P270BLFRATCB
RQ3P270BLFRATCB

Fab. :

Description :
MOSFET HSMT N CHAN 100V

Cycle de vie:
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ROHM Semiconductor
Catégorie du produit: MOSFET
Si
SMD/SMT
HSMT-8
N-Channel
1 Channel
100 V
27 A
29 mOhms
20 V
4 V
13.6 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
Marque: ROHM Semiconductor
Configuration: Single
Temps de descente: 8.8 ns
Transconductance directe - min.: 7.3 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 15 ns
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 36 ns
Délai d'activation standard: 12 ns
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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET de puissance RQ3P270BLFRA

Le MOSFET de puissance RQ3P270BLFRA de ROHM Semiconductor est un MOSFET de qualité automobile, homologué AEC-Q101. Les dispositifs fournissent une tension de rupture drain-source de 100 V, une résistance à l’état passant drain-source statique de 29 mΩ et un courant de drain continu de ±27 A. Les MOSFET de puissance ROHM RQ3P270BLFRA sont idéaux pour applications automobiles y compris le système d’aide à la conduite (ADAS), l’infodivertissement, l’éclairage et la carrosserie.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.