ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RQ3L060BG

Le MOSFET de puissance RQ3L060BG de ROHM Semiconductor dispose d’une tension drain-source (V_DSS) de 60 V et d’un courant de drain continu de ±15,5 A. Ce MOSFET à canal N offre une faible résistance à l'état passant (R_{DS (on)}) de 38  mΩ et une faible dissipation de puissance de 14 W. Le MOSFET RQ3L060BG fonctionne dans la plage de température de jonction de fonctionnement et de stockage de -55 °C à 150 °C et est disponible en petit boîtier moulé à haute puissance et sans halogène (HSMT8). Ce composant conforme à la directive RoHS intègre un placage sans plomb. Les applications typiques incluent la commutation, les entraînements à moteurs et les convertisseurs CC/CC.