RQ3L060BGTB1

ROHM Semiconductor
755-RQ3L060BGTB1
RQ3L060BGTB1

Fab. :

Description :
MOSFET HSMT8 N-CH 60V 15.5A

Modèle de ECAO:
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ROHM Semiconductor
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
HSMT-8
N-Channel
1 Channel
60 V
15.5 A
38 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
5.5 nC
- 55 C
+ 150 C
14 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marque: ROHM Semiconductor
Configuration: Single
Temps de descente: 4.8 ns
Transconductance directe - min.: 4 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 4.3 ns
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 18.5 ns
Délai d'activation standard: 7.4 ns
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

MOSFET de puissance RQ3L060BG

Le MOSFET de puissance RQ3L060BG de ROHM Semiconductor dispose d’une tension drain-source (VDSS) de 60 V et d’un courant de drain continu de ±15,5 A. Ce MOSFET à canal N offre une faible résistance à l'état passant (RDS (on)) de 38  mΩ et une faible dissipation de puissance de 14 W. Le MOSFET RQ3L060BG fonctionne dans la plage de température de jonction de fonctionnement et de stockage de -55 °C à 150 °C et est disponible en petit boîtier moulé à haute puissance et sans halogène (HSMT8). Ce composant conforme à la directive RoHS intègre un placage sans plomb. Les applications typiques incluent la commutation, les entraînements à moteurs et les convertisseurs CC/CC.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.