ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal PRH7G04CBKFRA

Le MOSFET de puissance à canal P RH7G04CBKFRA de ROHM Semiconductor est homologué AEC-Q101 pour les applications automobiles, y compris l'infodivertissement, l'éclairage, le système d'aide à la conduite (ADAS) et la carrosserie. Le dispositif offre une tension drain-source de 40 V et un courant de drain continu de ±40 A. Le MOSFET RH7G04CBKFRA de ROHM est disponible dans un boîtier DFN-8.

Caractéristiques

  • Produit aux flancs mouillables
  • Qualification AEC-Q101
  • 100 % testé en avalanche
  • Boîtier DFN-8

Applications

  • Système d'aide à la conduite (ADAS)
  • Infoloisir
  • Éclairage
  • Carrosserie

Caractéristiques techniques

  • Tension drain-source de 40 V
  • Résistance statique drain-source à l'état passant 5,0 mΩt
  • Courant de drain continu de ±40 A
  • Dissipation d'énergie de 62 W

Application standard

Schéma du circuit d'application - ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal PRH7G04CBKFRA

Circuits de mesure

Circuit de localisation - ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal PRH7G04CBKFRA
Publié le: 2025-03-04 | Mis à jour le: 2025-03-13