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RH7G04CBKFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7G04CBKFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7G04CBKFRATCB
Price: 1.85 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-RH7G04CBKFRATCB

N° de fab. :

RH7G04CBKFRATCB

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET Nch 40V 40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive

Cycle de vie:

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Fiche technique:

RH7G04CBKFRATCB Fiche technique

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-,-- €

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,85 €	1,85 €
	1,19 €	11,90 €
	0,818 €	81,80 €
	0,693 €	346,50 €
	0,605 €	605,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,513 €	1.539,00 €
	0,506 €	4.554,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	40 A
Rds On - Résistance drain-source:	5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	19.1 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	62 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	9..3 ns
Transconductance directe - min.:	11 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	10.5 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	41.7 ns
Délai d'activation standard:	14.3 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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