ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N 40 V RH7G04
Les MOSFET de puissance à canal N 40 V RH7G04 de ROHM Semiconductor sont des MOSFET de qualité automobile certifiés AEC-Q101, avec une tension drain-source (VDSS) de 40 V et un courant drain continu (ID) de ±40 A. Ces MOSFET présentent une faible résistance drain-source à l’état passant [RDS(ON)] et sont disponibles dans un boîtier DFN-8 (DFN3333T8LSAB) de 3,3 mm x 3,3 mm. Les MOSFET RH7G04 de ROHM Semiconductor sont idéaux pour les systèmes d’aide à la conduite automobile (système d’aide à la conduite (ADAS)), les applications d’information, d’éclairage et de carrosserie.
Caractéristiques
- Produit avec flancs mouillables
- Qualification AEC-Q101
- 100 % testé en avalanche
Applications
- Système d’aide à la conduite (ADAS)
- Informations
- Éclairage
- Carrosserie
Caractéristiques techniques
- Résistance à l’état passant drain-source [RDS(ON)]
- RH7G04BBKFRA
- 3,1 mΩ (max.) (VGS = 10 V, ID = 20 A)
- 5,8 mΩ (max.) (VGS = 4,5 V, ID = 10 A)
- RH7G04CBLFRA
- 5,8 mΩ (max.) (VGS = 10 V, ID = 20 A)
- 8,7 mΩ (max.) (VGS = 4,5 V, ID = 10 A)
- RH7G04DBKFRA
- 12,6 mΩ (max.) (VGS = 10 V, ID = 20 A)
- 23,9 mΩ (max.) (VGS = 4,5 V, ID = 10 A)
- RH7G04BBKFRA
- Dissipation d’énergie (PD)
- RH7G04BBKFRA - 75 W
- RH7G04CBLFRA - 62 W
- RH7G04DBKFRA - 33 W
- Charge de grille totale (Qg)
- RH7G04BBKFRA
- 26.8nC (std) (VDD = 20 V ID = 10 A VGS = 10 V)
- 13.5nC (std.) (VDD = 20 V, ID = 10 A, VGS = 4,5 V)
- RH7G04CBLFRA
- 17.7nC (std.) (VDD = 20 V, ID = 10 A, VGS = 10 V)
- 8.9nC (std.) (VDD = 20 V, ID = 10 A, VGS = 4,5 V)
- RH7G04DBKFRA
- 7.6nC (std.) (VDD = 20 V, ID = 10 A, VGS = 10 V)
- 4.2nC (std.) (VDD = 20 V, ID = 10 A, VGS = 4,5 V)
- RH7G04BBKFRA
Schéma de circuit
Schéma de boîtier
Publié le: 2025-07-24
| Mis à jour le: 2025-08-19