MOSFET de puissance de canal N 40 V RH7G04

Les MOSFET de puissance à canal N 40 V RH7G04 de ROHM Semiconductor sont des MOSFET de qualité automobile certifiés AEC-Q101, avec une tension drain-source (VDSS) de 40 V et un courant drain continu (ID) de ±40 A. Ces MOSFET présentent une faible résistance drain-source à l’état passant [RDS(ON)] et sont disponibles dans un boîtier DFN-8 (DFN3333T8LSAB) de 3,3 mm x 3,3 mm. Les MOSFET RH7G04 de ROHM Semiconductor sont idéaux pour les systèmes d’aide à la conduite automobile (système d’aide à la conduite (ADAS)), les applications d’information, d’éclairage et de carrosserie.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Conditionnement
ROHM Semiconductor MOSFET DFN8 P CHAN 30V
Fiche technique
2.180En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.6 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN8 N CHAN 40V
Fiche technique
2.400En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 12.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.6 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN8 N CHAN 40V
Fiche technique
3.00013/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 5.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 7.6 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape