ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal P -30 V RH7E04BBJFRA
Le MOSFET de puissance de canal P -30 V RH7E04BBJFRA de ROHM Semiconductor est un MOSFET de qualité automobile avec une tension drain-source (VDSS) de -30 V et un courant drain (ID) de ±40 A, conforme à la norme AEC-Q101. Ce MOSFET dispose d'une résistance à l'état passant drain-source (RDS(ON)) de 7,52 mΩ (max.) avec VGS = -10 V, ID = -20 A ou 11,3 mΩ (max.) avec VGS = -4,5 V, ID = -10 A. La charge de grille totale (Qg) est de 65,0 nC (std.) avec VDD = -15 V, ID = -10 A, VGS = -10 V. Le RH7E04BBJFRA de ROHM Semiconductor est idéal pour les applications de systèmes d'aide à la conduite (ADAS), d'information, d'éclairage et de carrosserie.
Caractéristiques
- Produit avec flancs mouillables
- Qualification AEC-Q101
- 100 % testé en avalanche
Applications
- Système d'aide à la conduite (ADAS)
- Informations
- Éclairage
- Carrosserie
Caractéristiques techniques
- Résistance à l'état passant drain-source [RDS(ON)] :
- 7,5 mΩ (max.) (VGS = -10 V, ID = -20 A)
- 11,3 mΩ (max.) (VGS = -4,5 V, ID = -10 A)
- Dissipation d'énergie de 75 W (PD)
- Charge de grille totale (Qg)
- 65,0 nC (std.) (VDD = -15 V, ID = -10 A, VGS = -10 V)
- 34,0 nC (std) (VDD = -15 V, ID = -10 A, VGS = -4,5 V)
- Température de jonction de +175 °C (Tj)
Schéma du circuit
Schéma du boîtier
Publié le: 2025-07-23
| Mis à jour le: 2025-08-19