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RH7E04BBJFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7E04BBJFRATCB
Price: 1.99 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-RH7E04BBJFRATCB

N° de fab. :

RH7E04BBJFRATCB

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET DFN8 P-CH 30V

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

RH7E04BBJFRATCB Fiche technique

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-,-- €

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,99 €	1,99 €
	1,27 €	12,70 €
	0,886 €	88,60 €
	0,746 €	373,00 €
	0,664 €	664,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,564 €	1.692,00 €
	0,558 €	3.348,00 €
	0,553 €	4.977,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-8
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	40 A
Rds On - Résistance drain-source:	7.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 5 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	65 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	75 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	105 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	17 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	160 ns
Délai d'activation standard:	13 ns

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Fiche technique

RH7E04BBJFRATCB Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance de canal P -30 V RH7E04BBJFRA

Le MOSFET de puissance de canal P -30 V RH7E04BBJFRA de ROHM Semiconductor est un MOSFET de qualité automobile avec une tension drain-source (V_DSS) de -30 V et un courant drain (I_D) de ±40 A, conforme à la norme AEC-Q101. Ce MOSFET dispose d'une résistance à l'état passant drain-source (R_DS(ON)) de 7,52 mΩ (max.) avec V_GS = -10 V, I_D= -20 A ou 11,3 mΩ (max.) avec V_GS = -4,5 V, I_D = -10 A. La charge de grille totale (Q_g) est de 65,0 nC (std.) avec V_DD = -15 V, I_D = -10 A, V_GS = -10 V. Le RH7E04BBJFRA de ROHM Semiconductor est idéal pour les applications de systèmes d'aide à la conduite (ADAS), d'information, d'éclairage et de carrosserie.