ROHM Semiconductor Diodes à récupération super-rapide RFVxBGE6STL
Les diodes à récupération super rapide RFVxBGE6STL de ROHM Semiconductor se caractérisent par une récupération très rapide, une perte de commutation ultra-faible et une capacité de surcharge de courant élevée. Ces diodes à récupération fonctionnent sur une plage de tension directe de 1,6 V à 2,8 V et sont stockées sur une plage de température de -55 °C à +150 °C. Ces diodes à récupération offrent une tension inverse de crête de 600 V, une tension inverse de 600 V et une température de jonction de 150 °C. Ces diodes à récupération super-rapide sont idéales pour une utilisation dans le redressement général pour PFC en mode courant continu.
Caractéristiques
- Type de récupération hyper rapide/récupération dure
- Perte de commutation ultra-faible
- Capacité de surcharge de courant élevée
- Construction planaire épitaxiale en silicium
Caractéristiques techniques
- RFV5BGE6S:
- Courant direct redressé moyen 5 A
- Courant de surtension direct 60 A
- RFV8BGE6S:
- Courant direct redressé moyen 8 A
- Courant de surtension direct répétitif de crête 100 A
- Plage de tension directe de 1,6 V à 2,8 V
- Température de stockage de -55 °C à + 150 °C
- Tension inverse de crête répétitive 600 V (VRRM)
- Tension inverse 600 V
- Température de jonction de +150 °C
Plan mécanique
Ressources supplémentaires
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| Numéro de pièce | Fiche technique | Courant de surtension max. | If - Courant direct | Vf - Tension directe |
|---|---|---|---|---|
| RFV5BGE6STL |  |
60 A | 5 A | 2.8 V |
| RFV8BGE6STL | |
100 A | 8 A | 2.8 V |
Publié le: 2021-02-23
| Mis à jour le: 2022-03-11