Diodes à récupération super-rapide RFVxBGE6STL

Les diodes à récupération super rapide RFVxBGE6STL de ROHM Semiconductor se caractérisent par une récupération très rapide, une perte de commutation ultra-faible et une capacité de surcharge de courant élevée. Ces diodes à récupération fonctionnent sur une plage de tension directe de 1,6 V à 2,8 V et sont stockées sur une plage de température de -55 °C à +150 °C. Ces diodes à récupération offrent une tension inverse de crête de 600 V, une tension inverse de 600 V et une température de jonction de 150 °C. Ces diodes à récupération super-rapide sont idéales pour une utilisation dans le redressement général pour PFC en mode courant continu.

Résultats: 2
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Vr - Tension inverse
If - Courant direct
Type
Configuration
Vf - Tension directe
Courant de surtension max.
Ir - Courant inverse
Délai de reprise
Température de fonctionnement max.
Conditionnement
ROHM Semiconductor Redresseurs Super Fast Recovery Diode
Fiche technique
2.427En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

SMD/SMT TO-252GE-3 600 V 5 A Super Fast Recovery Diode Single 2.8 V 60 A 10 uA 40 ns + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Redresseurs Super Fast Recovery Diode
Fiche technique
2.433En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

SMD/SMT TO-252GE-3 600 V 8 A Super Fast Recovery Diode Single 2.8 V 100 A 10 uA 45 ns + 150 C Reel, Cut Tape