ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobiles RF7x

Les MOSFET de puissance automobiles RF7x de ROHM Semiconductor (avec les variantes RF7G, RF7L et RF7P) sont des dispositifs en carbure de silicium (SiC) haute performance conçus pour des applications électriques exigeantes. Ces MOSFET disposent d'une tension nominale de 1 200 V, ce qui rend les MOSFET RF7x de ROHM idéaux pour les environnements haute tension tels que les convertisseurs automobiles, les chargeurs embarqués et les systèmes d'alimentation industriels. La série RF7G offre des caractéristiques équilibrées adaptées à une utilisation générale, tandis que la série RF7L est optimisée pour de faibles pertes de conduction, améliorant l'efficacité dans les scénarios d'exploitation continue comme la gestion de batterie et le stockage de l'énergie. La série RF7P excelle dans la commutation à haute vitesse, ce qui la rend bien adaptée aux applications nécessitant une réponse rapide, telles que les équipements de télécommunications et l'éclairage LED. Dans toutes les variantes, les principales caractéristiques incluent une faible résistance à l'état passant, une performance de commutation rapide, une fiabilité élevée et un emballage compact, permettant une conversion de puissance efficace et robuste dans les secteurs automobile et industriel.

Caractéristiques

  • Tension nominale 1 200 V
  • Technologie de MOSFET SiC
  • Faible résistance à l'état passant (RDS(on))
  • Performance de commutation rapide
  • Mode d'amélioration
  • Options de canal N et P
  • Haute fiabilité
  • Boîtier compact monté en surface DFN2020-8
  • Charge de grille optimisée

Applications

  • Types à usage général (RF7Gx)
    • Convertisseurs automobiles
    • Chargeurs embarqués (OBC)
    • Convertisseurs CC/CC
    • Alimentations électriques industrielles
    • Entraînements à moteur
    • Systèmes d’énergie renouvelable
    • Systèmes ASI (alimentations sans interruption)
    • Stations de chargement EV
  • Type à commutation haute vitesse (RF7Px)
    • Électronique grand public
    • Éclairage LED
    • Alimentations électriques basse tension
    • Dispositifs portables
    • Applications de l'Internet des objets (IoT)
    • Équipement de télécommunications
  • Type à faible perte (RF7Lx)
    • Électronique automobile
    • Systèmes de gestion de batterie
    • Contrôle de groupe motopropulseur
    • Automatisation industrielle
    • Robotique
    • Infrastructure de grille intelligente
    • Systèmes de stockage d'énergie

Caractéristiques techniques

  • Options de tension de rupture drain-source de 40 V, 60 V et 100 V
  • Courant de drain continu de 12 A
  • Plage de résistance drain-source de 18,5 mΩ à 119 mΩ
  • Options de tension de seuil source-grille de 2,5 V ou 4 V
  • Dissipation d'énergie de 23 W
  • Plage de charge de grille de 6,8 nC à 15,7 nC
  • Plage de transconductance directe minimale de 2,7 S à 4 S
  • Plage du temps de montée de 6 ns à 13 ns
  • Plage de delai de passage à la fermeture typique de 7 ns à 9 ns
  • Plage du temps de descente de 4,7 ns à 18 ns
  • Plage de délai de passage à l'ouverture typique de 16 ns à 52 ns
  • Plage de température de fonctionnement de -55 °C à +150 °C

Circuits internes

Schéma du circuit d'application - ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobiles RF7x
Publié le: 2025-10-10 | Mis à jour le: 2025-10-17