MOSFET de puissance automobiles RF7x

Les MOSFET de puissance automobiles RF7x de ROHM Semiconductor (avec les variantes RF7G, RF7L et RF7P) sont des dispositifs en carbure de silicium (SiC) haute performance conçus pour des applications électriques exigeantes. Ces MOSFET disposent d'une tension nominale de 1 200 V, ce qui rend les MOSFET RF7x de ROHM idéaux pour les environnements haute tension tels que les convertisseurs automobiles, les chargeurs embarqués et les systèmes d'alimentation industriels. La série RF7G offre des caractéristiques équilibrées adaptées à une utilisation générale, tandis que la série RF7L est optimisée pour de faibles pertes de conduction, améliorant l'efficacité dans les scénarios d'exploitation continue comme la gestion de batterie et le stockage de l'énergie. La série RF7P excelle dans la commutation à haute vitesse, ce qui la rend bien adaptée aux applications nécessitant une réponse rapide, telles que les équipements de télécommunications et l'éclairage LED. Dans toutes les variantes, les principales caractéristiques incluent une faible résistance à l'état passant, une performance de commutation rapide, une fiabilité élevée et un emballage compact, permettant une conversion de puissance efficace et robuste dans les secteurs automobile et industriel.

Résultats: 8
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Conditionnement
ROHM Semiconductor MOSFET DFN2020 N-CH 60V 12A 2.093En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000
Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 60 V 12 A 31 mOhms 20 V 2.5 V 7.3 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN 100V 12A N-CH 2.100En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000
Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 59 mOhms 20 V 2.5 V 6.9 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN2020 N-CH 40V 12A 1.201En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000
Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 40 V 12 A 18.5 mOhms 20 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN2020 P-CH 40V 12A 185En stock
3.00027/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000
Si SMD/SMT DFN2020-8 P-Channel 1 Channel 40 V 12 A 61 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.5 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN2020 N-CH 40V 12A
3.00023/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 40 V 12 A 19 mOhms 4 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN2020 P-CH 60V 12A
2.90026/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT DFN2020-8 P-Channel 1 Channel 60 V 12 A 119 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.7 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN2020 N-CH 60V 12A
3.00023/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 60 V 12 A 31 mOhms 20 V 2.5 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN 100V 12A N-CH
3.00005/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 31 mOhms 20 V 4 V 6.8 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape