ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RF6G035BG

Le MOSFET de puissance RF6G035BG de ROHM Semiconductor dispose d’une tension drain-source (V_DSS) de 40 V et d’un courant de drain continu (I_D) de ±3,5 A. Ce MOSFET à canal N offre une faible résistance à l’état passant (R_{DS (on)}) de 46 mΩ et une dissipation de puissance (P_D) de 1 W. Le MOSFET RF6G035BG fonctionne dans la plage de température de jonction et de stockage en fonctionnement de -55 °C à 150 °C et est disponible en petit boîtier à montage en surface sans halogène (TUT6 ou SOT-363T). Ce composant conforme à la directive RoHS intègre un placage sans plomb. Le MOSFET de puissance RF6G035BG est adapté aux applications de commutation, d’entraînement moteur et de convertisseur CC-CC.