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RF6G035BGTCR

Name: ROHM Semiconductor RF6G035BGTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RF6G035BGTCR
Price: 0.58 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-RF6G035BGTCR

N° de fab. :

RF6G035BGTCR

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET SOT363 N-CH 40V 3.5A

Fiche technique:

RF6G035BGTCR Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	0,585 €	0,59 €
	0,354 €	3,54 €
	0,226 €	22,60 €
	0,175 €	87,50 €
	0,157 €	157,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,122 €	366,00 €
	0,114 €	684,00 €
	0,104 €	936,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-363T-6
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	3.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	46 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	3.5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	2.7 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	4.4 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	11 ns
Délai d'activation standard:	5 ns

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance RF6G035BG

Le MOSFET de puissance RF6G035BG de ROHM Semiconductor dispose d’une tension drain-source (V_DSS) de 40 V et d’un courant de drain continu (I_D) de ±3,5 A. Ce MOSFET à canal N offre une faible résistance à l’état passant (R_{DS (on)}) de 46 mΩ et une dissipation de puissance (P_D) de 1 W. Le MOSFET RF6G035BG fonctionne dans la plage de température de jonction et de stockage en fonctionnement de -55 °C à 150 °C et est disponible en petit boîtier à montage en surface sans halogène (TUT6 ou SOT-363T). Ce composant conforme à la directive RoHS intègre un placage sans plomb. Le MOSFET de puissance RF6G035BG est adapté aux applications de commutation, d’entraînement moteur et de convertisseur CC-CC.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.