ROHM Semiconductor MOSFET WLCSP RA1C030LD

Le MOSFET WLCSP RA1C030LD de ROHM Semiconductor est un MOSFET à canal N conçu avec une faible résistance à l'état passant et un boîtier à haute puissance. Ce composant dispose d'une tension drain-source de 20 V_DSS, d'un courant de drain continu de 3 A et d'une dissipation d'énergie de 1 W. Le MOSFET RA1C030LD offre une tension d'entraînement de 1,8 V, une protection contre les décharges électro-statiques (DES) jusqu'à 200 V (MM) et jusqu'à 2 kV (HBM). Ce MOSFET est adapté aux circuits de commutation, aux applications de batterie à cellule unique et aux applications mobiles. Le MOSFET RA1C030LD est un dispositif sans Pb, sans halogène et conforme à la directive RoHS.